하이닉스반도체가 60나노급 D램의 시험 생산에 돌입, 미세회로 기술 경쟁에서 처음으로 D램 세계 1위인 삼성전자를 앞질렀다. 삼성전자가 미세회로 공정에서 후발업체에 밀린 것은 이번이 처음이다. 하이닉스는 "이달부터 이천공장에서 66나노 회로공정을 적용한 1기가비트(Gb) DDR2 D램의 시험 생산을 시작했다"고 4일 밝혔다. 이로써 하이닉스는 D램 분야 미세회로 공정 기술 개발 경쟁에서 선두업체인 삼성전자를 처음으로 추월하는 '쾌거'를 달성했다. 현재 삼성전자는 낸드플래시 부문에서는 60나노 공정을 적용한 제품을 양산하고 있으나, D램 부문에서는 지난해 10월 개발한 70나노 공정이 가장 앞선 기술이다. 삼성전자는 지금까지 D램 공정 부문에서 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2004년 80나노, 2005년 70나노 기술을 세계 최초로 개발하며 주도권을 확보해 왔으나 60나노 공정 기술은 아직 개발중이다. 하이닉스 관계자는 "이번에 시험 생산한 66나노 1Gb DDR2 제품은 기존에 양산하고 있는 80나노 1Gb DDR2 제품에 비해 생산량이 50% 가량 증가한다"면서 "향후 시장 상황에 맞춰 양산 시기를 결정할 방침"이라고 말했다.