인텔과 마이크론이 D램과 낸드플래시 메모리를 합쳐 만든 비휘발성 차세대 메모리기술을 내년부터 선보일 계획이다.
인텔과 마이크론이 공개한 비휘발성(Non-volatile) 메모리 기술 ‘3D 크로스포인트(XPoint)’는 전통적인 메모리 반도체 소자인 트랜지스터와 커패시터를 완전히 없앤 새로운 기술이다.
이번 기술은 기존 D램·낸드에 비해 데이터 처리 속도와 내구성은 높이고 가격은 낮출 것으로 계획함에 따라 기존 메모리 시장 구도에 큰 변화를 이끌 것으로 기대된다. 이는 하반기에 샘플 공급을 거친 후 내년에 양산을 시작할 계획이다.
3D 크로스포인트 기술을 적용한 새로운 메모리는 낸드와 D램을 하나로 합친 전혀 새로운 제품군이다. 전통적 반도체 소자인 트랜지스터와 커패시터를 완전히 없앤 것이 가장 큰 특징이다. 기존 소자 특성상 데이터가 마이크로프로세서에 접근할 때 속도가 느려지는데 이를 새로운 소재로 대체함에 따라 데이터를 지웠다가 다시 쓰는 과정이 없어져 처리 속도가 빨라졌다.
이 기술은 기존의 낸드보다 1000배 빠른 데이터 처리속도가 1000배 증가한 내구성을 갖는다. 또한 D램보다 용량 집적도는 10배 이상 커졌다. 뿐만 아니라 기기 전원이 꺼져있을 때도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 기존 마이크로초에서 데이터 접근 지연시간이 나노초 단위로 측정할 정도로 빨라진다.
찰스 브라운 인텔 스토리지솔루션아키텍트 설계 담당 박사는 29일 서울 코엑스 인터콘티넨탈호텔에서 이 새로운 ‘3D 크로스포인트’ 기술을 설명했다.
롭 크루크 인텔 비휘발성 메모리 솔루션그룹 수석부사장은 “수십년간 업계는 프로세서와 데이터간의 지체 시간을 줄여서 보다 빠른 분석이 가능한 방법을 찾아왔다”며 “이번에 발표한 새로운 차원의 비휘발성 메모리는 메모리 및 스토리지 솔루션 분야의 업계 판도를 완전히 바꿀 새로운 성능을 제공해줄 것”이라고 강조했다.
3D 크로스포인트 기술의 핵심은 트랜지스터와 커패시터를 없앤 것이다. 트랜지스터는 전류를 증폭하거나 흐름을 조절하고 커패시터는 데이터를 가진 전하를 저장한다.
일반 낸드플래시는 플로팅게이트에서 전하를 전달받아 데이터를 저장하지만 3D 크로스포인트 기술은 전하를 가둬놓지 않으면서 데이터를 저장하는 게 특징이다.
찰스 브라운 인텔 스토리지솔루션아키텍트 설계 담당 박사는 “트랜지스터와 커패시터 없이 메모리셀 각각에 접근할 수 있게 된 것은 양사가 함께 개발한 혁신적 소재 덕분”이라며 “인텔과 마이크론은 특허 받은 이 소재 기술을 함께 보유하되 각각 제품군을 선보일 예정”이라고 밝혔다.
또한 그는 “관련 기업들과 함께 새로운 PCI익스프레스와 NVMe 인터페이스를 연구해왔다”며 “칩과 인터페이스에서 빠른 속도를 지원하므로 스토리지급 메모리를 충분히 구현하게 돼 기존 서버, 네트워크, PC 등 컴퓨팅 아키텍처에서 상당히 큰 변화가 불가피하다”고 설명했다.
인텔과 마이크론은 제품을 미국 유타주에 있는 양사 공동 팹에서 양산할 전망이며 기존 낸드플래시를 양산한 20나노 팹을 사용한다.
찰스 브라운 박사는 마지막으로 “3D 크로스포인트 기술 제품이 D램을 완전히 대체할지는 알 수 없다”며 “시간이 흐르고 기술 수준이 높아질수록 시장에 미치는 영향력이 커질 것”으로 기대했다. [시사포커스 / 김유빈 기자]
