반도체 업계 1위인 삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 D램 시대’를 열고 반도체 미세공정의 한계를 돌파했다. 최근까지 반도체 업계는 20나노 대 초반 제품 양산에 돌입 비중을 늘리고 있는 가운데 삼성전자의 10나노급 D램 양산 돌입으로 경쟁사들과의 기술력 차이는 더 벌이질 것으로 보인다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 올해 2월 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산했다고 5일 밝혔다.

삼성전자는 이번 제품에 ‘초고집적 설계 기술’, ‘사중 포토 노광 기술’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다고 설명했다. 초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30%이상 높였다.

또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 동작속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있는 게 특징이다. 이외에 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공할 것으로 회사측은 기대하고 있다.

삼성전자는 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현해 미세공정의 한계를 극복했다고 설명했다. 사중 포토 노광기술(QPT)은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술이다.

삼성전자는 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점하고자 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산한다. 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것이다“며,  "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시하겠다”고 밝혔다.

한편, SK하이닉스는 10나노 후반대(1x) D램은 올 연말까지 모든 준비를 마치고 내년 초 양산에 돌입할 것으로 업계는 내다보고 있다. 예상대로 내년 초 양산에 돌입하면 현재 삼성전자와 SK하이닉스와의 기술력 차이가 1~2년 유지된 것에 비해 상당한 기술력 차이를 좁힐 수 있다는 분석이다.  [시사포커스/김용철 기자]