하이닉스, 신개념 고성능 메모리 모듈 개발
하이닉스, 신개념 고성능 메모리 모듈 개발
이 기사를 공유합니다

기존 업계 표준 제품 대비 저전력, 고용량 구현 가능

하이닉스반도체는 Fabless(팹리스) 반도체 회사인 美 메타램社와 기술협력을 통해 2-Rank(랭크) 기반의 고성능 서버용 8GB(기가바이트) DDR2 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.

이번에 개발된 8GB 메모리 모듈은 美 메타램社의 MetaSDRAM(메타SD램) 칩셋을 메모리 컨트롤러와 D램 사이에 장착하여, 메모리 컨트롤러가 실제 사용된 D램의 용량보다 더 고용량의 D램으로 인식하는 새로운 개념의 제품이다. 즉 두 개의 1Gb(기가비트) D램을 고용량인 하나의 2Gb D램으로 인식함으로써 시스템상에서 별도의 변경 없이 고용량의 모듈 효과를 낼 수 있는 것이 특징이다.

이에 따라 고객들은 2Gb D램으로 구성된 고가의 제품 대신 1Gb D램으로 구성된 동일 기능의 고용량 제품을 상대적으로 저렴하게 사용할 수 있게 되어 비용 측면에서 효과적이다. 또한 8GB 모듈 제작 시 일반적으로 사용하는 4-Rank 기반이 아닌 2-Rank로 제작되어 기존 제품과 같은 용량으로 전력소비를 30%까지 줄일 수 있게 됐다.

하이닉스반도체 마케팅본부 김지범 전무는 "이번 신개념 제품 개발로 고용량 모듈에 대한 경쟁력을 확보할 수 있게 되어, 새로운 기업용 서버 애플리케이션 출시가 기대된다"고 밝히며, "이번에 개발된 8GB 2-Rank DDR2 모듈 외에도 현재 개발 중인 8GB 2-Rank DDR3 모듈은 올해 하반기에 양산할 예정이다"라고 덧붙였다.

또한 메타램社의 사업개발 부사장인 Suresh Rajan(수레시 라잔)도 "하이닉스반도체의 8GB 2-Rank 모듈은 경쟁사의 4GB 2-Rank 모듈 대비 두 배의 용량을 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 기존 IT 시스템 변경 없이 저전력으로 동작하는 우수한 제품이다"라고 강조했다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.