PRAM은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 비휘발성 메모리의 한 종류이다. 플래시 메모리의 비휘발성과, DRAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다.
특허청에 따르면, 지난해 국내 출원된 PRAM관련 특허는 204건이다. 경기침체로 인해 전년 223건에 비해서는 약간 감소된 수치이나, 다른 종류의 차세대 메모리인 FeRAM, MRAM, ReRAM의 특허출원이 각각 20건, 53건, 66건에 그쳤던 데 비하면 압도적으로 많은 수치이다.
이는 PRAM이 플래시메모리의 장점과 고속 동작이 가능한 디램의 장점을 모두 갖추고 있는 것 이외에도, 기존 생산 설비를 이용하여 생산이 가능하고 고집적화도 용이하기 때문이다.
출원인별로는, 하이닉스 148건(72.5%), 삼성전자 37건(18.1%), 한국전자통신연구원 등 국내 연구소 9건(4.4%), 마이크론 테크놀로지 등 외국 기업 10건(4.9%) 등으로, 주로 국내 기업들이 대부분이다. 기업들도 현재, PRAM을 가장 경쟁력있는 차세대 메모리로 인식하고 있음을 알 수 있다.
국내 PRAM 연구를 주도하고 있는 삼성전자와 하이닉스는 각각 뉴모닉스와 PRAM 원천기술 보유기업인 오보닉스와 기술을 협력해오고 있다. 지난 9월에는 삼성전자 PRAM을 만들기 시작했다는 소식이 전해짐에 따라 조만간 PRAM의 상용화가 이루어질 것으로 예상된다.
MP3, 휴대폰, 디지털카메라 등 각종 IT 제품에 훨씬 작고 빠른 PRAM이 사용되면, 제품 성능이 더욱 향상될 것이다. 현재 플래시메모시 시장의 규모는 전 세계적으로 연 200억 달러 이상이다. 차세대 메모리 시장 선점을 위한 기업들의 PRAM 개발 경쟁은 더욱 치열해질 것이며, 관련 특허출원도 지속적으로 증가할 전망이다.
