SK하이닉스가 세계 최초로 기존 용량에 2배에 달하는 DDR4 기반 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했다.
128GB DDR4 모듈은 실리콘관통전극 기술을 이용해 기존 최대 용량인 64GB의 두 배인 128GB의 최대용량이다.
동작전압은 기존 1.35V에서 1.2V로 낮췄으며 속도 또한 기존 전송속도보다 바른 2133Mbps으로 초당 17GB의 데이터 처리가 가능하다.
SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기를 기점으로 본격 생산할 예정이다.
SK하이닉스 관계자는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발해 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”고 말하며 “앞으로도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 말했다.
서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망이다.
한편 2004년 9월 삼성전자는 세계 최초로 80나노미터 공정의 2기가 DDR2 D램을 개발하여 기존의 80나노 기술을 적용, 개발에 성공함으로써 최소 65나노급 이하의 첨단기술을 적용해64메가에서 2기가 D램에 이르기까지 6세대 연속(64메가, 128메가, 256메가, 512메가, 1기가, 2기가) 세계 최초 개발이라는 성과를 거두고 있다.
이에 2기가비트(Gb) DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용 모듈(FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈 (UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하여 메모리 용량 확대가 가속화됐다. [시사포커스 / 이지숙 기자]
